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新聞活動

MPI 高功率探針臺系統TS2000-HP/TS2000-DP/TS150-HP/TS200-HP返回列表

MPI 高功率探針臺系統完善的半導體領域、微納米實驗室測試方案集成商TS2000-HP Probe SystemMPI的TS2000-HP半自動化探針臺測試系統可提

MPI 高功率探針臺系統

完善的半導體領域、微納米實驗室測試方案集成商

TS2000-HP Probe System

MPI的TS2000-HP半自動化探針臺測試系統可提供8英寸及以下晶圓器件的高功率測量,先進的ShielDEnvironment™可提供低噪聲和屏蔽的測試環境。

專為高電壓和大電流量測應用而設計

• 適合至高 10kV / 600A (脈沖)的晶圓級高功率組件量測

• 提供載片下的高功率動、靜態參數的測試

• 晶圓載物臺表面鍍金,接觸電阻的面積較小;真空吸孔優化,適合裝載至薄 50 µm 的薄晶圓

• 可選配搭載 Taiko 晶圓載物臺

• 提供抗電弧解決方案

MPI ShielDEnvironment™ 屏蔽環境

• 專為 EMI / RFI / Light-Tight 屏蔽所設計的精密量測環境

• 支援飛安級低漏電值量測

• 溫度量測范圍 -60 °C to 300 °C

 

TS2000-DP Probe System

TS2000-DP是MPI提供一套多功能且經濟高效的8寸半自動高功率測試探針臺,可在20°C至300°C的溫度范圍內進行晶圓載片上高功率應用的測量,且測量能力高達3kV(三軸)/10kV(同軸)和600A(脈沖)。

 

TS150-HP & TS200-HP

MPI大功率器件表征系統是專門為晶圓上大功率器件測試而設計的。MPI TS150-HP和TS200-HP探針系統提供了完整的150mm和200mm晶圓上解決方案,可在較寬的溫度范圍內實現功率半導體的低接觸電阻測量。

單機多應用設計

• 適用於高功率器件量測和其他多中晶圓級測試應用,如組件特性描述和建模,晶圓級可靠性(WLR)、失效分析 (FA)、集成電路工程、微型機電系統 (MEMS)工效學與安全設計

• 方便單手操作的快速釋放拖移氣浮載物臺設計

• 堅固且可乘載多達 10 支高電壓 HV 或 4 支大電流HC 微定位器的工作臺

• 電磁屏蔽箱和工作臺電弧屏蔽 ArcShieldTM設計,為高電壓量測提供安全防護

• 支持較寬我溫度范圍:20℃至300℃

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